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供應(yīng)德國(guó)si-mat硅晶圓—赫爾納貿(mào)易
供應(yīng)德國(guó)si-mat硅晶圓，貨期短，支持選型，為您提供一對(duì)一解決方案，在中國(guó)設(shè)有8個(gè)辦事處，可為您提供售前、售中和售后服務(wù)。
si-mat硅晶圓介紹：
si-mat 是一家專注于硅晶圓供應(yīng)的企業(yè)，與多家國(guó)際主流硅晶圓制造商合作，為用戶提供多樣化的硅晶圓產(chǎn)品。公司依托長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作伙伴網(wǎng)絡(luò)，能夠根據(jù)客戶需求提供定制化硅片解決方案，涵蓋從標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格到特殊要求的各類晶圓。
si-mat硅晶圓主要產(chǎn)品
si-mat供應(yīng)的硅晶圓主要包括以下幾類：
標(biāo)準(zhǔn)硅晶圓（直徑從50.8毫米至300毫米）
定制化硅晶圓
采用浮區(qū)法（FZ）工藝的硅晶圓
采用直拉法（CZ）工藝的硅晶圓
正片（Prime Wafers）
測(cè)試片（Test Wafers）
再生片（Reclaim Wafers）
si-mat硅晶圓主要型號(hào)
根據(jù)SEMI國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，si-mat 提供的常見標(biāo)準(zhǔn)硅晶圓型號(hào)包括：
2英寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓：CZ工藝，50.8毫米直徑，厚度280微米，P型/硼摻雜，晶向<100>，電阻率1-30歐姆·厘米，表面為單面拋光（SSP），單平邊
4英寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓：CZ工藝，100毫米直徑，厚度525微米，P型/硼或N型/磷摻雜，晶向<100>，電阻率1-30歐姆·厘米，單面拋光，雙平邊
6英寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓：CZ工藝，150毫米直徑，厚度675微米，P型/硼或N型/磷摻雜，晶向<100>，電阻率1-30歐姆·厘米，單面拋光，雙平邊
8英寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓：CZ工藝，200毫米直徑，厚度725微米，P型/硼摻雜，晶向<100>，電阻率1-5歐姆·厘米，單面拋光，notch
12英寸標(biāo)準(zhǔn)晶圓：CZ工藝，300毫米直徑，厚度775微米，P型/硼摻雜，晶向<100>，電阻率1-100歐姆·厘米，雙面拋光（DSP），notch
si-mat硅晶圓產(chǎn)品介紹
si-mat 提供的硅晶圓以單晶硅為基礎(chǔ)材料，主要通過直拉法（CZ）和浮區(qū)法（FZ）兩種工藝制備。直拉法通過將硅晶體從熔融硅中緩慢拉出形成單晶，浮區(qū)法通過局部熔化和再結(jié)晶過程獲得硅晶棒。兩種工藝均可實(shí)現(xiàn)特定的晶向和摻雜分布。產(chǎn)品涵蓋從2英寸到12英寸的直徑范圍，厚度從280微米至775微米不等，電阻率范圍較寬，并可根據(jù)需要提供單面拋光或雙面拋光等不同表面處理。
si-mat硅晶圓優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)
規(guī)格多樣：可提供從標(biāo)準(zhǔn)尺寸到定制尺寸的硅晶圓，并能根據(jù)用戶需求調(diào)整參數(shù)。
供應(yīng)穩(wěn)定：依托庫(kù)存體系，能夠較快提供50.8毫米至300毫米直徑的晶圓，減少供應(yīng)中斷。
工藝齊全：同時(shí)提供直拉法和浮區(qū)法兩種主流工藝的晶圓，適應(yīng)不同性能需求。
產(chǎn)品分層：提供正片、測(cè)試片、再生片等多種等級(jí)，滿足生產(chǎn)、研發(fā)、測(cè)試等不同用途。
支持定制：擁有超過20年的定制經(jīng)驗(yàn)，可與合作伙伴共同實(shí)現(xiàn)客戶對(duì)參數(shù)、表面狀態(tài)等方面的具體要求。
si-mat硅晶圓應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體制造：用于生產(chǎn)集成電路、存儲(chǔ)芯片、邏輯電路等。
微處理器與微控制器：作為計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)等設(shè)備中核心芯片的基板材料。
光電子與傳感器：用于制造圖像傳感器、光學(xué)組件及各類傳感元件。
微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）：作為傳感器、執(zhí)行器等微型機(jī)械系統(tǒng)的襯底。
科研與測(cè)試：為新材料、新工藝的研發(fā)提供測(cè)試載體。
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